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0.7納秒！相變存儲器速度新極限 http://www.ec.hc360.com2017年11月13日10:15 來源：科技愛好者T|T隨著數字全球化，爆炸式增長的信息對數據的存儲與傳輸提出瞭極大的挑戰，而且目前商用計算體系架構內各存儲部件，即緩存（SRAM）、內存（DRAM）和閃存（NANDFlash）之間性能差距日益加大，其間的數據交換效率也已成為瞭電子設備發展的瓶頸。因此研發具備存儲密度大、讀寫速度快、能耗低、非易失（即斷電後數據不丟失）等特點的新式通用式存儲介質勢在必行。
近日，美國Science雜志發表瞭西安交通大學與上海微系統與信息技術研究所的合作論文——《Reducing the stochasticity of crystal nucleation to enable sub-nanosecond memory writing》，該工作從接收到在線發表僅10天。更讓人驚訝的是，共同第一作者還是個大四本科生。
基於相變材料的相變存儲器（PCRAM）是最接近商業化的通用式存儲器，由國際半導體巨頭Intel與Mircon聯合推出的首款商用相變存儲器“傲騰”已於今年投入市場。我國目前所有相變存儲器的讀寫速度仍然無法媲美高速型存儲器，如內存（納秒）和緩存（亞納秒）。除去工業化工藝水平問題，最為核心的難題是傳統相變材料鍺銻碲形核隨機性較大，其結晶化過程通常需要幾十至幾百納秒，而結晶化速度直接對應著寫入速度。
新式鈧銻碲(SST)相變存儲器件0.7納秒的高速寫入操作以及其微觀結晶化機理為解決寫入速度瓶頸問題，西安交通大學材料學院金屬材料強度國傢重點實驗室與中國科學院上海微系統與信息技術研究所通力合作，利用材料計算與設計的手段篩選出新型相變材料鈧銻碲合金。
該材料利用結構適配且更加穩定的鈧碲化學鍵來加速晶核的孕育過程，顯著降低形核過程的隨機性，大幅加快結晶化即寫入操作速度。與業內性能最好的相變器件相比，鈧銻碲器件的操作速度提升超過10多倍，達到瞭0.7納秒的高速可逆操作，並且降低操作功耗近10倍。通過材料模擬計算，研究人員清晰地揭示瞭超快結晶化以及超低功耗的微觀機理。這一研究成果對深入理解和調控非晶態材料的形核與生長機制具有重要的指導意義，並為實現我國自主的通用存儲器技術奠定瞭基礎。
該項工作的材料計算與設計部分由西安交大完成：材料學院大四本科生周宇星為該工作的共同第一作者，青年千人學者張偉教授為共同通訊作者，負責論文投稿。
責任編輯：馬蘭
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